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GD25LD40CEIGR 发布时间 时间:2024/5/7 15:51:57 查看 阅读:251

GD25LD40CEIGR(4M/2M位)串行闪存支持标准串行外围接口(SPI),并支持双输出:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O(SI)、O1(SO)。双输出数据以80Mbit/s的速度传输。

基础介绍

  厂商型号:GD25LD40CEIGR

  品牌名称:GigaDevice(兆易创新)

  元件类别:NOR FLASH

  封装规格:USON8-EP(2x3)

  型号介绍:80Mbit/s

特点

  ●4M/2M位串行闪存

  ●512K/256K字节

  ●每个可编程页面256字节

  ●标准,双输出-标准:SCLK,CS#,SI,SO。WP#-双输出SCLK,CS#,IO0。工作包编号

  ●时钟频率-50MHz,用于30PF负载的快速读取,双输出数据传输敢达80Mbit/s

  ●软件/硬件写保护-通过软件对所有/部分内存进行写保护-使用WP#引脚启用/禁用保护

  ●高级安全功能-每个设备的128位唯一ID

  ●最少100000个编程/擦除周期

  ●数据保留

  ●典型的20年数据保留期

中文参数

商品分类NOR FLASH品牌GigaDevice(兆易创新)
封装USON-8包装圆盘

原理图

GD25LD40CEIGR原理图

GD25LD40CEIGR原理图

引脚

GD25LD40CEIGR原理图

GD25LD40CEIGR引脚图

封装

GD25LD40CEIGR封装图

GD25LD40CEIGR封装

料号解释

GD25LD40CEIGR料号解释图

GD25LD40CEIGR料号解释

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GD25LD40CEIGR图片

GD25LD40CEIGR

GD25LD40CEIGR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格9,000 : ¥2.98287卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量4Mb
  • 存储器组织512K x 8
  • 存储器接口SPI - 双 I/O
  • 时钟频率50 MHz
  • 写周期时间 - 字,页97μs,6ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.65V ~ 2V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-XFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-USON(2x3)