时间：2025/5/10 9:00:05
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PAU1625BI-S1R1 是一款由 Diodes 公司生产的功率 MOSFET，具体为 P 沟道增强型 MOSFET。该器件适用于需要低导通电阻和高开关效率的场景。它采用了 SO-8 封装形式，具有出色的热性能和电气性能，适合在电源管理、负载开关以及电池供电设备等应用中使用。
该器件的主要特点是其较低的导通电阻 (Rds(on)) 和较高的电流承载能力，这使得它能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：-30V
连续漏极电流：-6.9A
导通电阻（典型值）：70mΩ
栅极电荷：10nC
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SO-8
PAU1625BI-S1R1 的主要特性包括低导通电阻以减少传导损耗，提高整体效率；具备快速开关能力，支持高频操作；内置反向二极管用于 freewheeling 电流处理；良好的热稳定性和可靠性使其能够在恶劣环境下工作；采用标准 SO-8 封装，便于设计和安装。
此外，这款 MOSFET 在各种负载条件下表现出优秀的性能，同时它的低电荷量确保了开关过程中的能量损失最小化，非常适合便携式电子设备及汽车电子系统中的应用。
PAU1625BI-S1R1 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池保护电路等领域。它可以作为同步整流器的一部分来提升电源转换效率，或者用作开关元件来控制不同负载的开启与关闭。
在消费类电子产品中，比如智能手机和平板电脑的充电管理模块里也可以看到它的身影。另外，在工业自动化领域，例如可编程逻辑控制器(PLC)或数据采集系统(DAS)中的信号调节部分也常会用到此类 MOSFET。
PAU1625BIS1R1, DMG2306UX-13, FDMT8813Z
