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W632GU6KB-12 TR 发布时间 时间:2025/8/20 15:04:50 查看 阅读:6

W632GU6KB-12 TR是一款由Winbond公司制造的高性能动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款DRAM芯片主要用于需要高速数据处理的应用场合,例如个人电脑、服务器、工业控制设备以及各种嵌入式系统。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高可靠性的特点。

参数

容量:64Mbit
  组织结构:2M x 32
  电压:2.3V - 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  数据速率:10ns访问时间
  接口类型:异步

特性

W632GU6KB-12 TR是一款异步DRAM芯片,具备高速数据访问能力,适用于对存储器访问速度要求较高的系统设计。其主要特性包括宽电压范围(2.3V至3.6V),允许在不同的电源供应条件下稳定工作;宽工作温度范围(-40°C至+85°C),使其适用于工业级环境。该芯片采用TSOP封装,具有较小的封装体积和较高的焊接可靠性,适合在高密度PCB布局中使用。
  此外,该DRAM芯片具有低功耗特性,在待机模式下功耗极低,适用于对能耗敏感的应用场景。其异步接口设计简化了控制时序,降低了设计复杂度,并提高了系统的稳定性。W632GU6KB-12 TR还具备良好的数据保持能力,在刷新周期内可以稳定地保存数据,确保系统的数据完整性。

应用

W632GU6KB-12 TR广泛应用于需要中等容量高速存储的电子设备中。常见的应用包括工业控制设备、通信模块、网络设备、嵌入式系统、图像处理设备以及消费类电子产品。由于其宽温工作范围和高可靠性,特别适合用于工业自动化、智能卡终端、安防监控系统等对稳定性要求较高的应用场景。此外,该芯片也可用于老旧的计算机系统升级,提供更大的内存支持。

替代型号

W631LV1024B-12C TR, CY7C1009DV33-12ZSXC, IS61LV25616-12A

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W632GU6KB-12 TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-WBGA(9x13)