LBTHS10T1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件适用于各种通用开关和放大应用,具有较高的电流容量和良好的热稳定性。LBTHS10T1G采用SOT-223封装形式,适合表面贴装工艺,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等电路中。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):1.5A
最大集电极-发射极电压(Vce):100V
最大集电极-基极电压(Vcb):100V
最大功耗(Pd):1.5W
增益带宽积(fT):100MHz
电流增益(hFE):在Ic=2mA时为110至800(根据等级不同)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT-223
LBTHS10T1G具有优异的电流放大性能和较高的耐压能力,使其适用于多种中等功率应用。其高电流容量(1.5A)和100V的Vce额定值使得该晶体管在负载开关和功率放大电路中表现优异。
此外,该晶体管的电流增益范围较宽(110至800),允许设计者在不同应用中选择合适的偏置条件。高频特性(fT=100MHz)使LBTHS10T1G在中高频放大电路中也有良好的表现。
采用SOT-223封装,具有良好的散热性能和较高的可靠性,适用于自动化生产和表面贴装工艺。其紧凑的封装尺寸也有助于节省PCB空间,适合高密度电子产品的设计。
LBTHS10T1G的工作温度范围较宽(-55°C至+150°C),可在恶劣环境条件下稳定运行,适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
LBTHS10T1G广泛应用于各种电子电路中,包括电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、继电器驱动、LED照明控制和音频放大器等。由于其高电流和高耐压特性,LBTHS10T1G常用于负载开关电路中,用于控制大功率负载,如电机、继电器和LED灯组。
在电源管理应用中,该晶体管可用于稳压器、电流限制电路和电源开关。在DC-DC转换器中,LBTHS10T1G可以作为开关元件,用于升压或降压电路。在音频放大电路中,它可以用于低频功率放大,提供较高的输出功率和较低的失真度。
此外,该晶体管也适用于工业自动化控制系统,如PLC(可编程逻辑控制器)中的输入/输出驱动电路。在汽车电子系统中,LBTHS10T1G可用于车灯控制、电机驱动和传感器信号放大。
TIP120, PN2222A, BC547, 2N3904, MJE340