时间：2025/8/1 17:08:47
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CS2N70A4是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率开关领域。这款MOSFET具有高耐压和大电流能力，适合用于DC-DC转换器、电机驱动和电源开关等应用场景。其封装形式通常为TO-220或DPAK，便于散热和集成到电路中。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：70A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：约2.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55℃至+175℃
CS2N70A4具备低导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高耐压能力和大电流承载能力，能够满足高功率应用的需求。其增强型设计确保了器件在零栅极电压下处于关闭状态，提高了使用的安全性和可靠性。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。CS2N70A4采用了先进的制造工艺，使其在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗并提高了响应速度。这些特性使其成为电源管理、工业控制和汽车电子等领域的理想选择。
应用
CS2N70A4常用于DC-DC转换器、电机驱动、电源开关、逆变器和UPS系统等高功率应用场合。其优异的性能使其在需要高效能和高可靠性的电源管理应用中广受欢迎。
IRF1404, STP70NF70
