时间：2023/7/6 17:48:31
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CSD18532Q5B这款2.5mΩ、60VSON5mm×6mmNexFET?功率MOSFET旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。N沟道60V100A(Ta)3.2W(Ta),156W(Tc)表面贴装8-VSONP(5x6)，RθJA=40°C/W，这是在一个厚度0.06英寸环氧树脂(FR4)印刷电路板(PCB)上的1英寸2，2盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。最大RθJC=0.8oC/W，脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%。应用于直流-直流转换，次级侧同步整流器，隔离式转换器主级侧开关和电机控制等。
| 制造商 | 德州仪器 |
| 制造商产品编号 | CSD18532Q5B |
| 供应商 | 德州仪器 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-VSONP(5x6) |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 基本产品编号 | CSD18532 |
CSD18532Q5B
| 零件状态 | 活性 |
| 场效应管类型 | N通道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 60伏 |
| 电流-连续漏极(Id)@25°C | 100A(Ta) |
| 驱动电压(MaxRdsOn,MinRdsOn) | 4.5V、10V |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 3.2mOhm@25A，10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.2V@250μA |
| 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs | 58nC@10V |
| Vgs(最大) | ±20V |
| 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 5070pF@30V |
| 功耗(最大) | 3.2W(Ta),156W(Tc) |
| 供应商设备包8-VSONP(5x6) | 8-VSONP(5x6) |
| 包装/箱 | 8-PowerTDFN |
| 引脚数 | 8 |
| 连续漏极电流(ID) | 23A |
| 漏源击穿电压 | 60伏 |
| 漏源电阻 | 2.5毫欧 |
| 漏源电压(Vdss) | 60伏 |
| 栅源电压(Vgs) | 20伏 |
| 输入电容 | 5.07nF |
| 最大结温(Tj) | 150℃ |
| 最大功耗 | 3.2瓦 |
| 通道数 | 1 |
| 元素数量 | 1 |
| 功耗 | 3.2瓦 |
| 开启延迟时间 | 5.8纳秒 |
| 高度 | 1.05毫米 |
| 长度 | 5毫米 |
| 厚度 | 950微米 |
| 宽度 | 5毫米 |
| 属性 | 描述 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3 |
| 湿气敏感度(MSL) | 1(无限制) |
| REACH状态 | REACH受影响 |
| 无铅 | 含铅 |
超低Qg和Qgd
低热阻
雪崩额定值
辑电平
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON5mm×6mm塑料封装
直流-直流转换
次级侧同步整流器
隔离式转换器主级侧开关
电机控制
CSD18532Q5B符号
CSD18532Q5B脚印
CSD18532Q5B封装
| 型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
| CSD18532NQ5B | 德州仪器 | MOS管 | 60VN通道NexFET功率MOSFET |
| CSD18532Q5BT | 德州仪器 | MOS管 | 60V、单路、SON5x6、3.2mΩ8-VSON-CLIP-55to150 |
| IRFH5006TRPBF | 英飞凌 | MOS管 | 晶体管,MOSFET,N沟道,21A,60V,0.0035ohm,10V |
