CS2N60FA9H 时间：2025/8/2 2:53:38 阅读：16

CS2N60FA9H是一款高压大功率场效应晶体管（MOSFET），适用于多种高电压、高电流的功率转换应用。这款器件采用了先进的沟槽技术，提供了卓越的导通性能和开关特性，适合用于电源管理、电机驱动、逆变器以及各种工业控制设备。CS2N60FA9H具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力（600V）以及良好的热稳定性，使其在高效率和高可靠性要求的应用中表现出色。

参数

类型: N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds): 600V
　　最大栅源电压(Vgs): ±30V
　　最大连续漏极电流(Id): 12A @25°C, 7.5A @100°C
　　导通电阻(Rds(on)): 最大0.45Ω @Vgs=10V
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C
　　封装类型: TO-220
　　功率耗散(Pd): 125W

特性

CS2N60FA9H具备多项优异特性，使其在功率电子设计中具有广泛应用。首先，其高耐压能力达到600V，允许在高电压环境下稳定工作。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，有效降低了导通电阻（Rds(on)），提高了导电效率，从而减少了功率损耗和发热。此外，CS2N60FA9H的封装设计（TO-220）具备良好的散热性能，使其能够在高功率条件下保持稳定运行。
　　该器件的栅极驱动特性也非常优秀，栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高系统效率。其栅源电压容限为±30V，增强了在不同驱动条件下的适用性和安全性。CS2N60FA9H的工作温度范围宽广（-55°C至+150°C），适用于严苛环境下的工业级应用。同时，该器件具备较高的短路耐受能力，可在突发故障情况下提供额外的安全保障。
　　在封装方面，TO-220封装不仅便于安装，还具有良好的电气隔离和机械稳定性。这使得CS2N60FA9H非常适合用于电源转换器、DC-AC逆变器、电机控制模块、UPS系统以及各种高功率开关电源设备中。其优异的热管理和可靠性表现，使得该器件在长期运行中具备更低的故障率和更长的使用寿命。