时间：2025/5/10 15:21:32
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TF200N03是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率管理应用。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适合于需要高效能和可靠性的电路设计。
TF200N03采用TO-220封装形式，便于散热管理和安装。其广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及负载切换等场景。
最大漏源电压：30V
最大漏极电流：200A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：40nC
工作结温范围：-55℃至+175℃
热阻（结到壳）：0.2°C/W
1. 高电流承载能力，峰值电流可达200A，适用于大功率应用场景。
2. 极低的导通电阻，仅为1.5mΩ，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，栅极电荷较低，能够支持高频操作。
4. 具备强大的雪崩能量承受能力，增强了在异常情况下的可靠性。
5. 工作温度范围宽广，适应极端环境需求。
6. TO-220封装形式提供了良好的散热性能，简化了散热设计。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 直流电机驱动及控制电路中的功率级开关。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
4. 负载切换和保护电路中作为电子开关使用。
5. 工业自动化设备中的功率管理单元。
6. 各种高压大电流场合的功率控制应用。
IRF2807
STP200N3LLH5
FDP200N03A
