H9TP26A8JDAC 时间：2025/9/2 1:00:32 阅读：12

H9TP26A8JDAC是三星（Samsung）生产的一款高性能DRAM芯片，属于移动LPDDR4 SDRAM（低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器）系列。该芯片专为高带宽和低功耗需求而设计，广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及需要高效内存管理的便携式设备中。H9TP26A8JDAC将多个DRAM芯片（通常为8个）堆叠在一个封装中，从而实现高密度存储，同时保持较小的物理尺寸，适用于空间受限的设计。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装，便于自动化生产与高密度PCB布局。

参数

制造商: Samsung
　　产品类型: DRAM
　　存储器类型: LPDDR4 SDRAM
　　存储容量: 2GB - 8GB（具体容量取决于型号后缀）
　　数据总线宽度: x16
　　电压: 1.1V / 2.5V（核心电压/IO电压）
　　封装类型: BGA
　　封装尺寸: 根据具体堆叠层数和工艺不同而有所变化
　　工作温度: 工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口: 移动LPDDR4接口
　　带宽: 高达3200 Mbps/引脚（速率因具体型号而异）

特性

H9TP26A8JDAC具有多项先进特性，使其在移动设备和高性能嵌入式应用中表现出色。首先，该芯片采用了先进的堆叠封装技术（PoP，Package on Package），将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，显著提高了存储密度而不增加封装面积，非常适合高集成度的移动设备设计。
　　其次，H9TP26A8JDAC支持LPDDR4标准，提供了高达3200 Mbps/引脚的数据传输速率，显著提升了内存带宽，满足现代处理器对高速数据处理的需求。同时，其核心电压为1.1V，I/O电压为2.5V，相比前代产品在功耗方面有明显降低，有助于延长设备的电池续航时间。
　　该芯片还具备自刷新（Self-Refresh）功能，可在设备处于低功耗模式时保持数据不丢失，进一步提升能效。此外，它支持多种电源管理功能，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）和预充电功率下降模式（Precharge Power Down Mode），可以根据系统需求灵活调节功耗水平。
　　H9TP26A8JDAC通过BGA封装形式实现高引脚密度和良好的电气性能，适合高速信号传输和复杂系统集成。其封装尺寸经过优化，适应主流移动设备主板设计，且具备良好的热管理和抗干扰能力，确保在高负载下稳定运行。
　　最后，该芯片适用于各种移动平台，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统等，能够满足高分辨率显示、多任务处理、高性能游戏和AI计算等场景下的内存需求。