PHB191NQ06LT 时间：2025/12/28 14:25:54 阅读：15

PHB191NQ06LT是一款由Nexperia（安世半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的功率管理应用。PHB191NQ06LT采用符合工业标准的DFN2020-6（Power-SO8）封装，具备良好的散热能力，适合用于汽车电子、电源管理、负载开关、DC-DC转换器等高要求场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.95mΩ（@ VGS=10V）
　　功耗（Ptot）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：DFN2020-6（Power-SO8）

特性

PHB191NQ06LT功率MOSFET具备多项优异特性，首先其采用先进的沟槽技术，实现了极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件的高电流承载能力（高达100A）使其能够应对高功率负载需求，适用于大电流开关应用。
　　其次，PHB191NQ06LT具有出色的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定运行。其封装设计优化了热传导路径，提高了散热效率，有效延长了器件使用寿命。此外，该器件的栅极氧化层设计支持±20V的栅源电压，增强了抗过压能力，提高了使用安全性。
　　在汽车电子应用中，PHB191NQ06LT符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，能够在严苛的环境条件下稳定工作。此外，该器件还具备良好的短路耐受能力和雪崩能量承受能力，适用于对可靠性和稳定性要求极高的工业和汽车系统。

应用

PHB191NQ06LT广泛应用于多个高功率电子系统中，包括但不限于：汽车电子中的电机驱动、车身控制模块、车载充电系统和电池管理系统；工业电源中的DC-DC转换器、同步整流器和负载开关；以及消费类电子产品中的高效能电源适配器和智能功率管理模块。
　　在汽车系统中，PHB191NQ06LT可用于电动助力转向系统（EPS）、起停系统、电动水泵和空调压缩机等关键部件的功率控制。在工业领域，该器件适用于高效率的服务器电源、电信设备电源模块以及工业自动化控制系统中的功率开关。此外，由于其高耐压和低导通电阻特性，PHB191NQ06LT也常用于电池供电设备中的高效能负载开关，以延长设备的续航时间。