时间：2025/8/1 13:19:29
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CS2N60A3H-G是一款由COSMO Electronics Corporation生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能，使其在电源管理和功率转换系统中具有广泛的应用。该MOSFET具有较高的耐用性和稳定性，能够在较高的温度环境下稳定运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：10A（Tc=100℃）
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.48Ω（最大0.6Ω）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220
功率耗散（Pd）：60W
CS2N60A3H-G采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)），有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（600V）使其适用于各种高电压应用场景，如开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路。此外，其良好的热稳定性与高功率耗散能力（60W）相结合，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动特性优化，确保了快速开关响应，从而减少开关损耗。此外，其宽温度范围（-55℃至150℃）确保在极端环境下的可靠性。TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，而且便于安装在散热片上，进一步提高器件的热管理能力。
CS2N60A3H-G还具有较强的抗雪崩击穿能力，增强了其在高压浪涌环境下的耐用性。这种特性使其在工业电源、消费类电子产品和照明设备中具有很高的应用价值。
CS2N60A3H-G广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED照明驱动器、电机控制电路、充电器和逆变器等。此外，该器件也适用于家电（如电磁炉、变频空调）、工业自动化设备以及电动车充电系统等对功率开关性能要求较高的场景。
FQP10N60C、IRFBC40、STP10NM60ND、TK10A60D
