类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：220A（在TC=25°C条件下）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：660A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（Vth）：典型值2.1V，范围1.7V~2.5V
　　导通电阻RDS(on)：典型值0.95mΩ（在VGS=10V，ID=110A时）
　　输入电容（Ciss）：典型值9000pF
　　输出电容（Coss）：典型值2800pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值14ns
　　二极管正向电压（VSD）：典型值1.1V（在IS=220A时）
　　功耗（PD）：220W（TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：PG-HSOF-8-14（PowerSO-8）

IFR30P0T0SE22采用了英飞凌独有的OptiMOS?技术，这项技术针对低压大电流应用进行了全面优化，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡。其超低的RDS(on)值使得在大电流条件下能够有效减少功率损耗，提高整体系统效率。器件内部结构采用多芯片并联设计，在不增加封装体积的前提下实现了极高的电流承载能力。这种设计不仅提升了电流密度，还通过均匀分布电流路径来改善热管理，防止局部过热。
　　该MOSFET具备出色的动态性能，包括快速的开关速度和较低的栅极电荷（Qg），这使其非常适合用于高频开关电源拓扑，如同步整流Buck变换器或多相VRM（电压调节模块）。由于其低Qg和低输入电容，驱动电路所需功耗也相应降低，从而进一步提升了系统的能效表现。
　　此外，IFR30P0T0SE22具有优异的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，能够在瞬态过压或负载突变等异常工况下保持可靠运行。其符合RoHS标准，并通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证，表明其在严苛环境下的长期稳定性。
　　器件的封装采用增强型散热设计，底部带有裸露焊盘，可直接连接到PCB上的热焊盘，实现高效的热量传导。引脚排列经过优化，减少了源极寄生电感，提升了开关过程中的稳定性，尤其在高di/dt条件下表现出更少的振铃现象。这些特性共同确保了在高性能数字电源系统中的一致性和可靠性。

IFR30P0T0SE22主要应用于需要高效、高电流密度和高开关频率的现代电源系统。典型应用场景包括服务器主板上的多相降压变换器（VRM），用于为CPU、GPU或其他高性能处理器提供精确且稳定的低压大电流供电。在此类应用中，多个IFR30P0T0SE22器件通常并联使用，以满足高达数百安培的动态负载需求，同时保持高效率和良好的热分布。
　　该器件也广泛用于通信基础设施中的DC-DC中间母线转换器，例如48V转12V或12V转1V的POL（Point-of-Load）转换器，这类系统要求元器件具备低RDS(on)、快速响应能力和优良的热性能。此外，在工业电源、UPS不间断电源以及高端消费类电子产品（如游戏主机、工作站）的电源模块中也能见到其身影。
　　由于其符合汽车级可靠性标准，IFR30P0T0SE22还可用于车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）电源管理单元以及车载充电机（OBC）中的辅助电源部分。在这些应用中，器件必须在宽温度范围内稳定运行，并承受振动、湿度和电压波动等恶劣条件，而IFR30P0T0SE22凭借其坚固的设计和高质量制造工艺能够胜任此类任务。
　　此外，它也被用于电池管理系统（BMS）和电机驱动中的同步整流环节，利用其低导通损耗优势来延长电池续航时间或提高驱动效率。总之，任何需要在有限空间内实现极致能效和高功率密度的应用场景都是IFR30P0T0SE22的理想选择。

IRF6620TRPBF
　　BSC023N03LS