时间：2025/8/1 21:06:12
阅读：17
CS20N60ANH 是一款由华润华晶微电子（无锡）有限公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高电压和高电流应用场景，具备良好的导通特性和较低的开关损耗，适用于电源管理、电机驱动、LED照明、开关电源（SMPS）等多种电子系统设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：20A
功耗（PD）：160W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220/TO-3P
CS20N60ANH MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具备较高的导通性能和热稳定性。其最大漏源电压为600V，适用于中高功率开关电源和工业控制应用。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持±20V输入，增强了其在不同驱动电路中的兼容性。此外，CS20N60ANH的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
在热管理方面，该MOSFET封装设计具有良好的散热能力，可在较高电流下稳定运行。CS20N60ANH的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，适应多种复杂的工作环境。其高耐压能力和较高的电流承载能力，使其在电源转换器、电机控制、电子镇流器等应用中表现出色。
此外，CS20N60ANH具备较强的抗雪崩击穿能力，提高了器件在高能脉冲环境下的可靠性。该器件符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。
CS20N60ANH 广泛应用于各类高电压、中高功率的电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制模块、电焊机、逆变器、UPS不间断电源以及各种工业自动化设备中的功率开关电路。由于其具备良好的热稳定性和高耐压特性，CS20N60ANH也非常适合用于高效率的DC-AC转换系统和高功率LED调光控制电路。
FQA20N60C、STP20N60DM2、IRF20N60S5
