RF1140SB 时间：2025/8/15 15:18:12 阅读：7

RF1140SB是一款由Renesas Electronics设计的射频（RF）功率晶体管，主要用于无线通信设备中的射频功率放大器应用。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，具备高效率、高线性度和高可靠性的特点。RF1140SB在2GHz以下的频率范围内表现优异，广泛应用于蜂窝基站、无线基础设施、工业和医疗设备等领域。

参数

工作频率：800 MHz - 2.7 GHz
　　输出功率：典型值为140W（在2.6GHz时）
　　增益：约20 dB（典型值）
　　效率：典型效率大于60%
　　漏极电压（Vds）：最大值为65V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247AB

特性

RF1140SB采用先进的LDMOS工艺，具有优异的热稳定性和可靠性，适用于高功率密度应用。其高增益和高效率特性使其在射频功率放大器中表现出色，能够有效减少系统功耗并提高整体性能。此外，该器件具有良好的线性度，在多载波通信系统中可减少失真并提高信号质量。RF1140SB还具备良好的抗失配能力和高耐用性，能够在恶劣环境下稳定工作。
　　该器件的封装设计优化了热管理，便于在高功率应用中进行散热。其TO-247AB封装形式便于集成到现有的射频功率放大器电路中，并支持多种安装和连接方式。RF1140SB还具备良好的输入和输出阻抗匹配特性，减少了外围匹配电路的复杂度和成本。