CS20N50FA9R 时间：2025/4/30 16:56:04 阅读：5

CS20N50FA9R是一种基于硅技术制造的N沟道MOSFET功率晶体管。它具有低导通电阻和高击穿电压的特点，适用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效功率管理的应用场景。该器件采用TO-220封装形式，能够承受较高的电流负载，并具备良好的散热性能。
　　CS20N50FA9R在设计时注重降低传导损耗和开关损耗，从而提高整体系统的效率。其出色的电气特性和可靠性使其成为工业控制、消费电子以及汽车电子领域中的理想选择。

参数

最大漏源电压：500V
　　连续漏极电流：9.4A
　　导通电阻：1.8Ω
　　栅极电荷：65nC
　　总电容：1750pF
　　功耗：180W
　　工作温度范围：-55℃ to +150℃

特性

CS20N50FA9R具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力，最大漏源电压达到500V，适合高压应用环境。
　　2. 较低的导通电阻（1.8Ω），可减少功率损耗，提升系统效率。
　　3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷（65nC），使得动态性能优异。
　　4. 良好的热稳定性，在高温条件下仍能保持稳定的工作状态。
　　5. TO-220封装提供优秀的散热性能，便于安装和使用。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。

应用

CS20N50FA9R广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中作为主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率控制组件。
　　4. 各类工业设备中的功率管理模块。
　　5. 汽车电子系统中的负载切换与保护功能。
　　6. 其他需要高效功率转换和控制的应用场景。