SCT250D是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点,非常适合于需要高效能和高可靠性的应用场合。
该芯片主要适用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理电路中。由于其出色的电气特性和紧凑的封装形式,SCT250D在消费类电子、工业设备和汽车电子等领域有着广泛的应用。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:61A
导通电阻:1.3mΩ
栅极电荷:49nC
工作温度范围:-55℃ to 175℃
封装形式:PowerFLAT? 5x6
SCT250D具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在大电流应用中能够显著降低功耗,快速的开关速度减少了开关损耗,进一步优化了工作效率。
此外,这款MOSFET具备强大的散热能力,可以承受较高的结温,从而提高了系统的可靠性和稳定性。
它还具有出色的雪崩耐量和静电放电(ESD)保护功能,增强了器件的耐用性。
最后,PowerFLAT? 5x6封装不仅节省空间,还能提供卓越的热性能。
SCT250D广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流;
2. 直流-直流转换器和降压/升压转换器;
3. 汽车电子如电动助力转向系统(EPS)、制动系统和车身控制模块;
4. 工业电机驱动与自动化控制;
5. 笔记本电脑和智能手机的快充适配器;
6. 大功率LED驱动电路。
STM32F103RCT6