时间：2025/6/24 16:19:01
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RF18N0R9B500CT是一款高性能的射频(RF)功率MOSFET晶体管，专为高频、高效率的应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，能够提供卓越的射频性能和可靠性，广泛用于射频功率放大器、无线通信设备以及工业科学医疗(ISM)频段应用。
这款MOSFET晶体管具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，同时具备良好的热特性和开关特性，能够在高频条件下保持高效的功率转换。此外，RF18N0R9B500CT还支持表面贴装(SMD)封装形式，有助于提高PCB设计的灵活性和可靠性。
类型：射频功率MOSFET
封装：SMD
工作频率范围：30 MHz - 450 MHz
最大漏源电压(Vds)：50 V
最大栅极电压(Vgs)：±20 V
连续漏极电流(Id)：9 A (典型值)
脉冲漏极电流(Id,峰值)：18 A (典型值)
导通电阻(Rds(on))：0.045 Ω (典型值)
输出功率(典型值)：125 W
插入损耗：≤0.5 dB (典型值)
驻波比(VSWR)：≤2.0:1 (典型值)
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
RF18N0R9B500CT的主要特点包括：
1. 高效率射频功率传输能力，在高频环境下表现出色。
2. 较低的导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗并提高系统效率。
3. 高击穿电压(Vds)，能够承受更高的电压应力，增强系统稳定性。
4. 优异的热管理性能，确保在高温环境下的可靠运行。
5. 支持表面贴装技术(SMD)，简化了PCB布局并提高了生产效率。
6. 良好的线性度和增益表现，适用于复杂的射频信号处理场景。
7. 广泛的工作频率范围，适合多种射频应用需求。
RF18N0R9B500CT适用于以下领域：
1. 射频功率放大器(RF PA)设计，特别是在基站、中继器和其他无线通信设备中。
2. 工业科学医疗(ISM)频段应用，如无线电治疗设备和工业加热装置。
3. 高效的射频能量转换系统，例如无线充电或射频等离子体生成。
4. 高功率射频发射机，包括广播电台和军事通信设备。
5. 测试与测量设备中的射频信号发生器和放大器组件。
6. 任何需要高频、高效率功率转换的电子系统中。
RF18N0R9B500FT, RF18N0R9B500GT
