时间：2025/8/1 20:01:49
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CS1N60C1HD是一款由华冠半导体（CST）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等高效率应用场合。该器件采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：1.5A（@Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（@Vgs=10V）
耗散功率（Pd）：50W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-252（DPAK）
CS1N60C1HD具有优异的导通性能和快速的开关特性，能够在高频率下保持较低的开关损耗，从而提高系统的整体效率。
其低导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流条件下仍能保持较小的电压降，降低功耗并减少发热。
此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在异常工作条件下提供更好的稳定性和可靠性。
TO-252封装形式提供了良好的散热性能，适合用于紧凑型功率电路设计。
该器件符合RoHS环保标准，适用于工业级和消费类电子产品中的高可靠性需求场景。
CS1N60C1HD广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制器、电池管理系统（BMS）以及家电控制电路等。
在电源管理领域，该MOSFET可用于构建高效能的同步整流电路和功率因数校正（PFC）模块。
在电机控制和工业自动化系统中，CS1N60C1HD可作为高侧或低侧开关，实现对直流电机、步进电机等负载的精确控制。
此外，其优异的热稳定性和抗干扰能力使其适用于高温环境下的长期运行设备。
CS1N60C1HFD、FQP1N60C、IRF730、STP1N60C5
