时间：2025/9/14 19:02:36
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BUK9K5R6-30EX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高功率密度的应用，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：200A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：5.6mΩ（最大值）
封装类型：Power-SO8
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK9K5R6-30EX的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件的RDS(on)在VGS = 10V时最大仅为5.6mΩ，非常适合用于高电流应用。
此外，BUK9K5R6-30EX采用Power-SO8封装，具有良好的热性能和电气性能，能够在高电流条件下保持稳定运行。该封装还具有较小的PCB占用空间，适合紧凑型设计。
该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态电压冲击下的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至20V），适用于多种驱动电路设计。
该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，表现出良好的温度稳定性，适合在恶劣环境条件下工作。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
由于其高可靠性和优异的电气性能，BUK9K5R6-30EX广泛应用于电源管理、服务器电源、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等高要求场景。
BUK9K5R6-30EX常用于高性能电源系统，如服务器电源、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统（BMS）等。此外，它也适用于需要高效率和高可靠性的工业控制系统和汽车电子应用。
SiSS100DN、IRLHS3842、FDMS7680、IPB021N04NG、FDD1600
