时间：2025/6/12 5:25:03
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GA1210H473JBXAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 器件，属于 GaN（氮化镓）技术系列。该器件采用先进的氮化镓材料制造，具有低导通电阻、高开关速度和高效率的特点，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及电机驱动等应用领域。
由于其优异的电气性能，该型号能够显著降低系统损耗并提升整体效率，在高频工作条件下尤为突出。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻：47mΩ
栅极电荷：85nC
开关频率：高达 5MHz
封装形式：TO-247-4L
GA1210H473JBXAT31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 47mΩ，有效降低了传导损耗。
2. 高速开关性能，支持高达 5MHz 的开关频率，适合高频应用。
3. 内置 GaN 技术，提供更高的功率密度和效率。
4. 强大的热管理能力，可承受较高的结温范围（最高可达 175°C）。
5. 四端子封装设计，优化了电流路径和信号隔离，进一步提升了效率与可靠性。
6. 具备出色的 EMI 性能，有助于简化电路设计中的滤波需求。
该型号广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如服务器电源、通信电源和适配器。
2. DC-DC 转换器，用于电动汽车、工业设备和消费电子。
3. 太阳能微型逆变器和储能系统。
4. 快速充电器和无线充电模块。
5. 高频谐振转换器和 LLC 转换器。
6. 电机驱动器和机器人控制单元。
由于其高效和高频的工作能力，该器件非常适合对体积、重量和效率有严格要求的应用场景。
GA1210H473KBT30G
GA1210H473JCAT25G
