时间：2025/9/14 13:08:21
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BUK9K22-80EX 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的应用而设计，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力。BUK9K22-80EX 采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有优异的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统等领域。其封装形式为 LFPAK56（也称为 Power-SO8），具有良好的散热性能，便于自动化生产和高密度 PCB 布局。
类型：N 沟道
最大漏极电压（VDSS）：80 V
最大漏极电流（ID）：100 A
导通电阻（Rds(on)）：2.2 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V
栅极电压（VGS）：±20 V
功耗（Ptot）：100 W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
BUK9K22-80EX 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 2.2 mΩ，这使得在高电流工作时导通损耗显著降低，从而提高整体系统效率。此外，该 MOSFET 在高频率下仍能保持稳定的性能，适合用于高频开关应用，如同步整流器、DC-DC 转换器等。
另一个显著特点是其采用 LFPAK56 封装技术，这种封装具有优异的热管理性能和高电流承载能力，同时具备较高的机械强度和可靠性，适用于严苛的工业和汽车应用环境。LFPAK56 封装还具备较低的封装电感，有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，表明其具备良好的热稳定性，可在高温环境下稳定运行。此外，其栅极电压范围为 ±20 V，允许使用较高驱动电压以降低导通损耗，同时具备一定的过压保护能力。
在安全性和可靠性方面，BUK9K22-80EX 具备良好的雪崩能量耐受能力，可在负载突变或短路情况下提供一定的保护作用。其低热阻特性也有助于提高长期运行的稳定性，延长设备使用寿命。
BUK9K22-80EX 适用于多种高功率、高效率的电力电子系统中，例如服务器电源、通信设备电源、电动工具、电动汽车充电模块、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、同步整流器以及 DC-DC 转换器等。
在服务器和通信设备中，该器件可作为主开关或同步整流器，提高电源转换效率并降低发热；在电动工具和电动汽车应用中，它可用于高效能电机控制和电池充放电管理；在工业自动化系统中，该 MOSFET 可用于高频逆变器和功率调节模块，实现更紧凑的设计和更高的可靠性。
由于其出色的热管理和封装优势，BUK9K22-80EX 也广泛应用于高密度 PCB 布局设计中，有助于简化散热设计，提高制造效率。
BUK9K23-80E, BUK9K24-80E, IPD90N08S4-03, STD90N08F7F4
