类型：N沟道
　　最大漏极电流（Id）：19A
　　漏-源电压（Vds）：40V
　　栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：23nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

CS19N40ANR 采用了先进的沟槽型MOSFET结构，使得其在同类产品中具有更低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在40V的漏-源电压下，能够持续承载高达19A的漏极电流，适用于中高功率的电源转换系统。此外，其栅极电荷（Qg）仅为23nC，支持快速开关操作，从而减少开关损耗，提高整体能效。
　　该MOSFET具备优良的热稳定性和高功率密度，能够在高温环境下稳定运行，适合用于紧凑型设计和高密度电路布局。封装形式为DFN5×6或TO-252等常见贴片封装，便于散热和自动化生产，提高了在PCB上的安装灵活性和可靠性。
　　CS19N40ANR 还具备良好的抗雪崩能力，增强了器件在异常工作条件下的耐用性。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于在多种应用场景中使用。综合来看，CS19N40ANR 是一款性能优越、可靠性高的功率MOSFET，适用于现代高效能电子设备。

CS19N40ANR 广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器以及工业自动化控制系统等。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效能、高可靠性设计的理想选择。

Si9410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF3710, AO4407