76PSB04T 时间：2025/12/28 12:27:10 阅读：10

76PSB04T是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于高效率电源转换系统中。该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及各种开关电源应用。该器件采用先进的封装技术，能够在高频率下稳定运行，并提供良好的散热能力，适用于工业、汽车和消费类电子设备中的电源管理解决方案。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：100A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：4.2mΩ（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：85nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　最大功耗（Ptot）：94W

特性

76PSB04T具有优异的导通和开关性能，主要得益于其低导通电阻（RDS(on)）设计，这有助于减少功率损耗，提高电源转换效率。该器件采用先进的沟槽栅技术，优化了电场分布，从而增强了器件的可靠性和耐用性。此外，其高电流承载能力和良好的热管理特性使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并减少开关损耗，从而在高频应用中表现出色。其封装设计不仅提供了良好的散热性能，还支持紧凑的PCB布局，适用于空间受限的应用场景。
　　76PSB04T在极端温度环境下依然表现出色，能够在-55°C至175°C的宽温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业和汽车应用环境。同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于环保型电子产品设计。

应用

76PSB04T广泛应用于各类高效率电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）和负载开关。此外，该器件也非常适合用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统、电动助力转向系统等。在工业自动化设备、服务器电源、不间断电源（UPS）和储能系统中，76PSB04T也发挥着关键作用。其高可靠性和优异的热稳定性使其成为高要求应用场合的理想选择。