LDTB114TWT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。该型号采用 SOT-23 封装,适合用于便携式设备、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):100 mA
最大漏极-源极电压(VDS):100 V
最大栅极-源极电压(VGS):±20 V
导通电阻(RDS(on)):最大 5.5 Ω @ VGS = 10 V
阈值电压(VGS(th)):1 V ~ 2.5 V
功耗(PD):300 mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOT-23
LDTB114TWT1G 具备多项优良特性,使其适用于多种高频和低功耗应用。首先,其低导通电阻(RDS(on))有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其次,该器件的高栅极击穿电压(±20 V)提供了更强的抗干扰能力和稳定性,防止在开关过程中发生栅极击穿。此外,其低阈值电压范围(1 V ~ 2.5 V)允许使用较低的控制电压,适用于低压微控制器或逻辑电路的驱动。
该 MOSFET 的封装形式为 SOT-23,体积小巧,适合用于空间受限的设计,同时具备良好的散热性能。其沟槽结构技术进一步优化了开关性能,降低了开关损耗,适用于高频开关电路。另外,该器件的工作温度范围广泛(-55°C ~ 150°C),适用于工业级和汽车电子应用环境。
LDTB114TWT1G 适用于多种电子系统,尤其是在需要高效、小型化和高可靠性的场合。典型应用包括便携式电子设备中的电源管理电路、DC-DC 升压/降压转换器、负载开关、LED 驱动电路以及电池管理系统。此外,它也可用于工业控制系统的逻辑接口电路、继电器替代电路以及低功率电机控制电路。
由于其良好的热稳定性和高频响应能力,LDTB114TWT1G 还适用于通信设备中的开关电源和隔离电路。在汽车电子系统中,该器件可用于车身控制模块、传感器接口电路和车载充电系统,满足汽车应用对可靠性和工作温度范围的要求。
2N7002, BSS138, FDV301N, ZVN2110A