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1N5339B 发布时间 时间:2025/7/11 11:54:24 查看 阅读:12

1N5339B 是一种常见的高压硅雪崩整流二极管,属于 1N533x 系列。这种二极管具有高反向电压、快速恢复时间和低正向电压降的特性,适合用于开关电源、逆变器和其他需要高可靠性和高效率的电路中。
  该型号的设计使其能够在高频和高压条件下表现出优异的性能,同时具备良好的浪涌电流处理能力。

参数

最大反向电压:700V
  最大正向电流:1A
  最大峰值浪涌电流:200A
  正向电压(IF=1A):约1.1V
  反向漏电流(VR=700V, 25°C):≤5μA
  结电容:约15pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

1N5339B 的主要特性包括:
  1. 高反向击穿电压,达到 700V,适用于高压应用。
  2. 快速恢复时间,确保在高频开关电路中的高效运行。
  3. 低正向压降,减少功率损耗并提高系统效率。
  4. 能够承受高达 200A 的峰值浪涌电流,适合保护电路免受瞬态电压影响。
  5. 广泛的工作温度范围,适应极端环境条件下的使用需求。
  6. 具备良好的热稳定性和可靠性,适合长期运行的工业设备。

应用

1N5339B 通常应用于以下领域:
  1. 开关电源中的整流和保护功能。
  2. 逆变器和电机驱动器中的浪涌保护。
  3. 通信设备中的过压保护。
  4. 工业控制系统的高压电路。
  5. 家用电器和汽车电子中的瞬态抑制。
  6. 各种脉冲电路和高频电路中的整流元件。

替代型号

1N5339
  1N5339A
  MELF封装版本:MMSZ5339B

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1N5339B参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)5.6V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 2V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)1 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5339BOS