时间：2025/12/27 8:22:21
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9NM50-S是一款由IXYS（现隶属于Littelfuse）公司生产的高电压、高速MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动和高频DC-DC转换器等电力电子系统中。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具备优良的开关特性和热稳定性，适合在高效率、高频率工作的电力转换场景下使用。其型号中的“9N”代表该系列为N沟道增强型MOSFET，“M50”表示其漏源击穿电压为500V，“S”通常表示其封装形式或特殊设计版本，例如带有雪崩能量保护能力或优化体二极管性能。该器件常用于工业控制、照明电源、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等对可靠性要求较高的应用场合。
9NM50-S采用TO-220AC或类似通孔封装，具有良好的散热性能，便于安装于散热片上以提高长期运行的稳定性。其引脚排列为标准三端结构：栅极（G）、漏极（D）、源极（S），兼容大多数驱动电路设计。由于其高耐压与中等电流承载能力的结合，使其成为中小功率开关电源主开关管的理想选择之一。此外，该器件还具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于减少驱动损耗并提升整体系统效率。在实际应用中，需注意防止栅极过压和静电损伤，并建议配合合适的栅极电阻与钳位电路使用以确保可靠工作。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：9A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（Idm）：36A
功耗（Pd）：125W
导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω（Max，Vgs=10V，Id=4.5A）
阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V（Id=250μA）
输入电容（Ciss）：580pF（Typ，Vds=250V，Vgs=0V，f=1MHz）
输出电容（Coss）：170pF（Typ）
反向传输电容（Crss）：40pF（Typ）
开启延迟时间（td(on)）：25ns
关断延迟时间（td(off)）：75ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220AC
9NM50-S具备优异的电气与热性能，适用于高电压、中等功率的开关应用。其最大漏源电压高达500V，能够承受高压瞬态冲击，适用于离线式开关电源设计，尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑中作为主开关使用。该器件的导通电阻在同类产品中处于较低水平，典型值为0.85Ω，在Vgs=10V条件下可实现较低的导通损耗，从而提升电源系统的整体效率。同时，其较低的栅极电荷（Qg ≈ 30nC）和输入电容（Ciss ≈ 580pF）显著降低了驱动电路的负担，使控制器更容易驱动，尤其适合搭配UC384x系列或类似PWM控制器使用。
该MOSFET采用平面栅极技术，具有良好的热稳定性和长期可靠性。其最大功耗可达125W（在理想散热条件下），结温范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣工业环境下稳定运行。器件内部具有较强的雪崩能量耐受能力，能够在异常工况下（如短路或电感反冲）提供一定程度的自我保护，提高了系统的鲁棒性。此外，其体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了开关过程中的交叉导通风险，有利于降低电磁干扰（EMI）水平。
在封装方面，TO-220AC形式不仅便于手工焊接和维修，而且可通过加装散热片有效传导热量，适用于自然冷却或强制风冷环境。该封装也具备良好的绝缘性能（部分版本带绝缘垫），可用于需要电气隔离的场合。综合来看，9NM50-S在性能、成本和可靠性之间取得了良好平衡，是中小功率电源设计中值得信赖的核心开关器件。
9NM50-S广泛应用于各类中高电压开关电源系统中，包括但不限于：交流-直流（AC-DC）适配器、充电器电源模块、LED驱动电源、工业控制电源、小型不间断电源（UPS）、太阳能微逆变器、电机控制电路以及电子镇流器等。在反激式开关电源拓扑中，它常被用作主开关管，负责将输入的高压直流电周期性地切换至高频状态，以便通过变压器实现电压变换与隔离。由于其500V的耐压能力，可直接用于整流后的市电母线电压（约310V DC）环境中，无需额外的电压缓冲电路，简化了设计复杂度。
在电机驱动领域，9NM50-S可用于单相逆变桥臂或H桥电路中，控制小功率直流或交流电机的启停与调速。在UPS系统中，该器件参与DC-AC逆变环节，将电池提供的直流电转换为稳定的交流输出。此外，在高亮度LED照明系统中，其高频开关能力有助于实现精确的恒流控制和高效率能量转换。对于需要紧凑设计和高可靠性的工业设备，9NM50-S凭借其成熟的技术和广泛的市场验证，成为许多工程师的首选功率开关元件。
STP9NK50ZFP, FQP9N50C, IRFBC40, 2SK2542, BUZ500
