时间：2025/6/16 14:29:16
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CS13N50A是一款N沟道增强型MOSFET（场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效开关性能的电路中。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和较高的电流承载能力，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：500V
最大漏极电流：13A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：1.8Ω
功耗：140W
结温范围：-55℃至+150℃
CS13N50A具有以下主要特点：
1. 高耐压能力，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻设计，有助于减少功率损耗。
3. 快速开关速度，可实现高频率操作。
4. 提供较强的雪崩能力和鲁棒性，确保在恶劣条件下稳定工作。
5. 封装形式为TO-220，便于散热和安装。
6. 工作温度范围宽，适应多种工业场景。
CS13N50A适用于以下领域：
1. 开关电源和DC-DC转换器中的高频开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率控制。
3. 逆变器和不间断电源（UPS）系统中的关键功率器件。
4. 各类工业设备中的负载切换。
5. 照明镇流器和其他需要高效功率管理的应用场景。
IRF840, STP17NF50, K13N50
