时间：2025/8/6 2:57:02
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IXFP72N20X3M是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET专为高功率密度应用而设计，具有出色的导通和开关性能，同时保持了较低的导通损耗和开关损耗。IXFP72N20X3M采用先进的沟槽式技术，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于需要高效能、高可靠性的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：200V
最大漏极电流（ID）：72A
导通电阻（RDS(on)）：通常为0.022Ω（最大0.028Ω）
栅极电荷（Qg）：约74nC
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247
配置：单管
功率耗散（Ptot）：300W
IXFP72N20X3M MOSFET采用了英飞凌的OptiMOS?技术，提供优异的导通和开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高了整体系统效率。该器件的高电流容量和良好的热性能使其能够在高温环境下稳定工作，适用于要求苛刻的工业和汽车应用。
此外，IXFP72N20X3M具有良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。其优化的栅极设计减少了开关损耗，使得在高频开关应用中也能保持较高的效率。器件的封装设计有助于快速散热，确保在高功率应用中的可靠性。
IXFP72N20X3M广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电源、电机驱动器、直流-直流转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。由于其高效率和良好的热稳定性，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。
IXFP72N20X3M的替代型号包括IXFP72N20X3MA1、IXFH72N20X3和IRFP72N20D。
