时间：2025/4/29 10:08:18
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DS1244Y-120IND 是一款由 Maxim Integrated 生产的非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)。它具有 64K x 8 的存储容量，即 512Kb 的存储空间。该芯片采用 CMOS 工艺制造，并且内置锂电池以确保数据在断电后仍然能够保存。
DS1244Y-120IND 在工业、医疗和通信设备中被广泛使用，因为它提供了高可靠性和快速访问速度的特性，同时具备掉电后数据保护功能。
存储容量：512Kb
工作电压：3.0V 至 5.5V
数据保持时间：10 年（典型值）
接口类型：并行
封装形式：SOIC-28
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
访问时间：70ns
DS1244Y-120IND 具备多种特性使其非常适合需要长期数据存储的应用场景。首先，其内置锂电池可以在外部电源中断时提供持续的数据保护能力。
其次，芯片支持高速读写操作，访问时间仅为 70ns，从而提高了系统的响应性能。
此外，它采用了低功耗设计，即使在电池供电模式下也能有效延长电池寿命。
最后，该器件的工作温度范围宽广，能够在恶劣环境下稳定运行，适用于各种工业级应用需求。
DS1244Y-120IND 可应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 工业控制设备中的配置参数存储与实时数据记录。
2. 医疗仪器中患者数据的临时存储及断电保护。
3. 通信系统中的协议栈缓冲区以及日志记录。
4. POS 终端等金融设备中的交易信息保存。
5. 测量仪器中的校准数据和测量结果保存。
由于其出色的可靠性和数据保护功能，该芯片特别适合那些对数据完整性要求较高的应用场景。
DS1245Y-120IND, DS1248Y-120IND
