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CS12N60FA9R-G 发布时间 时间:2025/5/22 8:41:26 查看 阅读:6

CS12N60FA9R-G 是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),适用于高频、高压和高效率的应用场景。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和场截止技术,具有较低的开关损耗和导通损耗,能够显著提升系统的整体效率。其封装形式为TO-247-3L,适合工业级应用环境。

参数

额定电压:600V
  额定电流:12A
  集电极-发射极饱和电压:≤1.4V(典型值)
  门极阈值电压:3.5V~5.5V
  开关频率:最高可达100kHz
  功耗:≤2W(壳温25℃时)
  工作温度范围:-55℃~+150℃

特性

CS12N60FA9R-G 的主要特点是结合了低导通损耗和低开关损耗的优点。其先进工艺使得器件在高频开关条件下仍能保持较低的热损耗,提高了系统运行的稳定性。
  此外,该型号具备出色的短路耐受能力,能够在极端条件下提供额外的安全保障。
  由于采用了优化设计,CS12N60FA9R-G 的电磁干扰(EMI)性能得到了改善,非常适合对噪声敏感的应用场合。
  同时,其高可靠性和长寿命也使其成为工业电源、逆变器和电机驱动等领域的理想选择。

应用

CS12N60FA9R-G 广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、工业变频器、电动车驱动系统以及开关电源等领域。其高效率和高可靠性使其特别适合需要频繁开关操作的复杂应用场景。

替代型号

CSC12N60FA9R-G, IRG4PC20UD, FGH12N65SMD

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