LHL13NB222J 时间：2025/5/13 19:02:43 阅读：5

LHL13NB222J是一种高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于开关和功率管理应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。它适用于需要高效能和高可靠性的电路设计，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理系统等。
　　该器件采用了先进的制造工艺，确保了在高频和高压下的稳定性能。其封装形式通常为TO-252或SO-8，适合表面贴装技术（SMT），能够满足现代电子设备的小型化和高密度需求。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：4.8A
　　导通电阻：45mΩ
　　栅极电荷：17nC
　　开关时间：典型值t_on=15ns，t_off=12ns
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

LHL13NB222J具备多种优异的性能低的导通电阻，可显著降低功率损耗并提高效率。
　　2. 快速的开关速度，使得该器件非常适合高频应用。
　　3. 高度可靠的电气性能，在极端温度范围内也能保持稳定运行。
　　4. 小尺寸封装支持高密度PCB设计，符合现代电子产品小型化趋势。
　　5. 内置保护功能（如过流保护和短路保护）增强了系统的安全性。
　　6. 兼容性好，可以轻松替换其他品牌的同类产品。

应用

该MOSFET广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和降压/升压转换。
　　2. 电池管理系统（BMS），用于保护电池免受过充或过放影响。
　　3. 各种类型的负载开关，包括USB端口保护。
　　4. 电机驱动电路，尤其是小型直流电机控制。
　　5. LED驱动器，用于调节亮度或实现恒流输出。
　　6. 工业自动化设备中的功率控制模块。