时间：2025/8/1 19:50:00
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CS100N03B8 是一款由华润华晶微电子（无锡）有限公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。CS100N03B8 主要用于电源管理和DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及各种高效率电源应用。该器件采用TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装工艺，具备良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
耗散功率（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
CS100N03B8 MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其最大漏源电压为30V，最大连续漏极电流可达100A，适合大电流和高功率应用场景。栅极驱动电压范围宽，可在+10V至+20V之间工作，便于与各种驱动电路兼容。
该器件的热阻较低，TO-252封装具有良好的散热能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，CS100N03B8具备出色的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过压情况下的可靠性。其栅极氧化层设计优化，提升了器件的耐用性和抗干扰能力，适合工业级和车载电子系统使用。
由于其高性能和高可靠性，CS100N03B8广泛应用于同步整流、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动自行车控制器以及服务器电源系统等领域。
CS100N03B8 主要应用于需要高效率和大电流能力的电源管理系统。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可用作主开关或同步整流器，以提高转换效率并减小系统体积。在电机控制电路中，CS100N03B8可用于H桥驱动，实现电机的双向控制和高效能运行。该器件也常用于电池管理系统中的充放电控制开关，确保电池安全运行。此外，CS100N03B8还适用于高功率LED驱动、服务器电源、不间断电源（UPS）、电动工具和新能源汽车的电控系统中。其高可靠性和优异的热性能使其在工业自动化、通信设备和消费类电子产品中也有广泛应用。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF1010EZ, FDP100N30TM, STP100N3LL
