时间：2025/8/1 12:27:43
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CRTD360P04L2-G 是一款由 Central Semiconductor 制造的双极型晶体管（BJT）阵列器件，包含两个独立的 NPN 晶体管。这款器件广泛用于需要高频率和中等功率处理能力的模拟和数字电路中，特别适合用于放大器、开关电路、LED 驱动、电源管理等领域。该晶体管封装在小型 SOT-23 表面贴装封装中，便于在现代 PCB 设计中使用。
晶体管类型：双 NPN
最大集电极-发射极电压（Vce）：40V
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大功耗（Ptot）：300mW
最大工作温度：150°C
增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110（最小）@ Ic=2mA, Vce=5V
封装类型：SOT-23
CRTD360P04L2-G 具备良好的高频性能，适用于需要快速开关和信号放大的应用。每个晶体管具有独立的引脚配置，可以分别用于不同的电路功能。该器件的低饱和电压和高电流增益使其在低功耗设计中表现出色。此外，SOT-23 封装不仅节省空间，还具备良好的热管理和机械稳定性，适合在高密度 PCB 设计中使用。该晶体管还具有良好的温度稳定性，能够在较宽的温度范围内保持性能一致性。
该器件的 hFE 值根据不同的电流条件可以分为多个等级，便于设计人员根据具体应用选择合适的晶体管特性。此外，其较高的截止频率（fT）允许在射频（RF）和高速数字电路中使用，为设计提供了更大的灵活性。CRTD360P04L2-G 还具备良好的抗静电能力，减少了在装配和使用过程中因静电放电（ESD）导致损坏的风险。
CRTD360P04L2-G 主要用于需要双晶体管配置的电路设计，如差分放大器、推挽输出级、电平转换电路、LED 驱动器、继电器和马达控制电路中的开关元件。此外，它也常用于电源管理模块、DC-DC 转换器、传感器接口电路以及各种消费类电子设备和工业控制系统的信号处理和功率控制部分。由于其高频特性，该器件也可用于射频前端模块和无线通信设备中的信号放大。
BC847BS, MMBT3904LT1G, 2N3904, 2N2222A
