类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：800V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：100A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为8.0mΩ（最大10mΩ）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散(Pd)：300W

FBM100N80具有低导通电阻的特点，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的平面技术，提供了卓越的热性能和更高的可靠性。
　　此外，FBM100N80具备高雪崩能量承受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，这对于保护电路免受瞬态电压冲击至关重要。
　　其高栅极电荷（Qg）设计确保了良好的开关性能，同时降低了高频应用中的开关损耗。
　　由于其TO-247封装具备良好的散热性能，因此适用于需要高功率密度和高可靠性的应用场合。
　　这款MOSFET还具备出色的短路耐受能力，使其在高应力环境下仍能保持稳定工作。

FBM100N80主要应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：工业电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、太阳能逆变器、电焊设备、电池充电器以及各种高功率开关电路。
　　其优异的电气特性和热稳定性也使其成为电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的理想选择，用于功率转换和能量管理系统。
　　在工业自动化控制系统中，该器件可用于驱动高功率负载，如加热元件、电磁阀和大功率LED照明系统。
　　此外，FBM100N80也可用于高端音频放大器和电源管理模块中，以实现高效的能量转换。

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