时间：2025/8/2 0:13:39
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CRST045N10N是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率密度和高效率的电源系统中。该器件由Crest Semiconductor公司制造，专为高效能电源管理设计，适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：45A
漏极-源极电压（VDS）：100V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：在VGS=10V时典型值为22mΩ
封装类型：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C至175°C
CRST045N10N具有低导通电阻，能够在高电流条件下提供较低的传导损耗，从而提升系统的整体效率。该器件的高栅极电压容限（±20V）确保在复杂工作环境下的稳定运行，减少因栅极电压波动引起的故障风险。
采用TO-252（DPAK）封装，该MOSFET具备良好的热性能和机械强度，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。此外，其紧凑的封装结构有助于节省PCB空间，适用于高密度电源设计。
CRST045N10N的热阻较低，使其在高功率应用中具备良好的散热能力，确保器件在高温环境下依然稳定运行。同时，该器件具备较高的短路耐受能力，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。
在动态性能方面，CRST045N10N具有较低的输入电容和门极电荷，使其在高频开关应用中表现优异，适用于高开关频率的DC-DC转换器和同步整流器设计。
该器件广泛应用于各类电源管理系统，如服务器电源、通信设备电源、工业控制系统以及电动车电源管理系统等。此外，CRST045N10N还可用于电池管理系统（BMS）、负载开关控制、电机驱动电路以及各类高功率DC-DC转换器中。
在新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统以及电动汽车充电模块中，CRST045N10N也具备良好的适用性。其高耐压、低导通损耗和良好的热管理能力，使其成为高效能电源系统中的关键元件。
SiR142DP-T1-GE3, FDS4410AS, IRF3710, STP40NF10, IPD90N10S3-04
