时间：2025/8/14 15:54:11
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BAS40C-AU_R1_000A1 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于电源管理和开关应用。这款 MOSFET 以其高效能、高可靠性和小型化设计而著称，适用于需要高效能功率转换的电子设备。该器件采用 TSSOP（薄型小尺寸封装）封装形式，适合在空间受限的环境中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5.5A
功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
导通电阻（RDS(on)）：约 23mΩ（在 VGS=10V 时）
封装类型：TSSOP
BAS40C-AU_R1_000A1 具有低导通电阻的特点，这使得它在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在多种电压条件下运行，增加了其在不同应用中的灵活性。
这款 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在较高的温度下持续工作而不降低性能。其小型化的 TSSOP 封装设计不仅节省了电路板空间，还便于实现高密度的 PCB 布局。此外，该器件的高耐用性和可靠性使其能够在恶劣的环境条件下运行，适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多个领域。
BAS40C-AU_R1_000A1 的设计优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，这对于提高电源转换效率至关重要。其高耐压特性也使其能够承受瞬时的电压波动，确保电路的稳定运行。
BAS40C-AU_R1_000A1 主要应用于电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电动工具、电机驱动器以及汽车电子设备中的功率控制部分。此外，它还可用于工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品中的高效能功率转换电路中。
BAS40C-AU_R1_000A1 的替代型号包括 Si4442DY-T1-GE3 和 FDS6680，这些型号在性能和封装方面与 BAS40C-AU_R1_000A1 相似，可以作为备选方案使用。
