时间：2025/6/28 15:14:36
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FQP10N20L 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件采用小型化的表面贴装封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
其主要特点包括低导通电阻以减少功耗，高雪崩能力以提高可靠性，以及优化的栅极电荷设计以提升开关效率。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：0.17Ω
栅极阈值电压（最小值）：1V
栅极阈值电压（最大值）：2.5V
总栅极电荷：9nC
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
FQP10N20L 的关键特性如下：
1. 低导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通损耗，从而提升整体系统效率。
2. 快速开关性能，得益于优化的栅极电荷设计，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，可确保在异常条件下（如短路或过流事件）的安全运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子制造工艺。
5. 表面贴装封装，易于自动化生产和集成到紧凑型设计中。
6. 广泛的工作温度范围，使其能够在恶劣环境下稳定运行。
FQP10N20L 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. LED 照明驱动器中的电流调节元件。
6. 电池管理系统的充放电控制开关。
7. 通信设备中的信号调理和功率分配模块。
FQP10N20,
FDP10N20,
IRFZ44N,
STP16NF06,
AO3400
