类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：80A
　　最大漏源电压（Vds）：150V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：8.2mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：170nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（D2Pak）

CRSS082N15N 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)）仅为 8.2mΩ，这使得该器件在高电流应用中具有极低的传导损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该 MOSFET 采用先进的沟槽式结构，优化了载流子的分布，从而提高了器件的开关性能和热稳定性。
　　另一个重要特性是其高电流承载能力，最大连续漏极电流可达 80A，适合用于大功率开关应用。同时，其最大漏源电压为 150V，能够适应多种高压功率转换电路的需求。
　　该器件还具有较强的栅极驱动能力，其栅极电荷（Qg）为 170nC，确保在高频开关环境下仍能保持较低的开关损耗。此外，CRSS082N15N 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +175°C，使其能够在严苛的工业和汽车环境中稳定运行。
　　封装方面，该器件采用 TO-263（D2Pak）封装，具有良好的散热性能，并且支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。

CRSS082N15N 广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。例如，在 DC-DC 转换器中，它可以用作主开关元件，实现高效的电压变换；在同步整流器中，该器件可显著降低导通损耗，提高整体效率；此外，该 MOSFET 还常用于电机控制、电池管理系统和高功率负载开关电路中。
　　由于其优异的高温性能和可靠性，CRSS082N15N 也广泛应用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）。在工业自动化设备中，该器件可用于高性能开关电源（SMPS）和逆变器系统中，提供稳定高效的功率输出。
　　此外，该 MOSFET 还适用于需要快速开关和低损耗的高频应用，如无线充电系统和光伏逆变器等新型能源管理系统。

SiHF180N15T、FDP085N15AS、IRFP4468PBF