类型：碳化硅MOSFET
　　漏源电压VDS：650V
　　连续漏极电流ID@25℃：40A
　　导通电阻RDS(on)：56mΩ
　　栅极电荷Qg：70nC
　　输入电容Ciss：2000pF
　　工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
　　封装形式：TO-247-3L

FNE40560作为一款碳化硅MOSFET，具备多项优异特性。首先，其导通电阻RDS(on)仅为56mΩ，大幅降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件具有极低的开关损耗，使得在高频工作条件下仍能保持较低的温升，从而提升系统的功率密度。此外，FNE40560具备优异的热稳定性，在高温环境下依然能够保持稳定的性能，适用于恶劣工况下的功率转换系统。
　　该器件还具有良好的短路耐受能力，增强了系统在异常工作条件下的可靠性。其栅极氧化层设计优化，提高了栅极稳定性，降低了栅极漏电流。FNE40560还具备较低的反向恢复电荷（Qrr），进一步提升了其在同步整流和桥式拓扑结构中的性能表现。
　　在封装方面，FNE40560采用TO-247-3L封装，具备良好的热传导性能，便于散热管理，同时兼容传统硅MOSFET和IGBT的安装方式，方便用户进行替换和升级。

FNE40560广泛应用于需要高效能、高可靠性的功率电子系统中。例如，在电动汽车充电系统中，该器件可用于车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，实现更高的能量转换效率和更小的系统体积。在光伏逆变器中，FNE40560的高频特性可减少磁性元件的尺寸和成本，提高系统整体能效。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、服务器电源、工业电机驱动以及储能系统等高功率应用场景。

SCT3040AL、SiC MOSFET 650V 40A 55mΩ