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H5MS2G32BFR-J3M 发布时间 时间:2025/9/1 19:50:42 查看 阅读:4

H5MS2G32BFR-J3M 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于GDDR5 SDRAM类别,专为高性能图形处理和计算应用设计。该芯片具有高带宽和低延迟的特点,适用于显卡、游戏主机、高性能计算设备等需要快速数据访问的场景。

参数

容量:2Gb(256MB)
  组织结构:32位数据总线宽度
  工作电压:1.5V(标准)
  时钟频率:最高可达1.75GHz
  数据速率:5Gbps(GDDR5规格)
  封装类型:FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)
  工作温度:工业级温度范围(-40°C至+85°C)
  接口类型:GDDR5 SDRAM接口
  封装尺寸:8mm x 13mm

特性

H5MS2G32BFR-J3M 芯片采用了先进的GDDR5技术,提供了极高的数据传输速率和带宽,能够满足现代图形处理对内存性能的严苛要求。其高频率和低电压设计不仅提升了性能,还降低了功耗,使其在高性能计算和图形渲染应用中表现出色。
  这款DRAM芯片的32位数据总线宽度和5Gbps的数据速率使得它在每次时钟周期内可以传输大量数据,适用于需要大量数据吞吐的场景,如高分辨率游戏、3D渲染和GPU加速计算。
  此外,H5MS2G32BFR-J3M 采用FBGA封装技术,确保了良好的电气性能和散热能力,适用于高密度PCB布局和高温工作环境。其工业级温度范围也使其能够在严苛的环境中稳定运行。

应用

H5MS2G32BFR-J3M 主要用于高性能图形处理领域,如独立显卡(GPU)、游戏主机(如PlayStation、Xbox)、工作站显卡以及需要高速图形内存的嵌入式系统。此外,它也适用于需要高带宽内存的计算设备,例如AI加速卡、数据中心GPU加速器以及高性能图像处理设备。由于其高频率和低功耗特性,该芯片也可用于工业控制、医疗成像和高端消费电子产品中。

替代型号

H5MS2G32AJR-J3M, H5MS2G32BFR-J4M, H5MS2G32BJR-J3M

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