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CRSS063N08N 发布时间 时间:2025/8/1 22:35:22 查看 阅读:20

CRSS063N08N 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,提供了较低的导通电阻(RDS(on))和高效的开关性能。CRSS063N08N 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等高功率电子系统中。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(VDS):80V
  最大漏极电流(ID):60A(连续)
  导通电阻(RDS(on)):6.3mΩ(最大)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2.1V 至 4V
  最大功耗(PD):160W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-263(表面贴装)

特性

CRSS063N08N 的主要特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),这使得在高电流条件下能够显著降低功率损耗,从而提高整体系统效率。该器件的额定漏源电压为 80V,最大漏极电流为 60A,使其适用于多种高功率应用场景。采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,不仅提高了器件的导电性能,还增强了其热稳定性和可靠性。
  此外,CRSS063N08N 的栅极阈值电压范围为 2.1V 至 4V,适合与标准逻辑电平驱动器配合使用,简化了控制电路的设计。该器件的最大功耗为 160W,能够在较高的工作温度下稳定运行,工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,表现出良好的热稳定性。
  封装方面,CRSS063N08N 使用的是 TO-263 封装,这是一种表面贴装封装形式,适合自动化生产流程,并提供良好的热管理能力,适用于高密度 PCB 设计。由于其高电流能力和低导通电阻,该 MOSFET 在电源管理应用中表现出色,特别是在 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路中。其优异的性能和可靠性使其成为工业控制、汽车电子、通信设备等领域的理想选择。

应用

CRSS063N08N 主要用于需要高效率功率转换和大电流开关能力的电子系统中。它常被应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器、电源管理系统以及各种高功率电子设备中。在工业自动化、汽车电子、通信电源和消费类电子产品中,CRSS063N08N 都能发挥出色的性能。例如,在电动汽车或混合动力汽车中,该 MOSFET 可用于电池管理系统或电动机驱动电路;在服务器电源和 UPS(不间断电源)系统中,可用于高效率的功率转换模块。由于其高可靠性和热稳定性,该器件在高温环境下也能稳定运行,适用于恶劣工作条件下的工业控制系统。

替代型号

SiR110DP-T1-GE3, Nexperia PSMN063-100BSE, Infineon BSC063N08NS5

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