时间：2025/8/1 22:35:22
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CRSS063N08N 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)）和高效的开关性能。CRSS063N08N 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等高功率电子系统中。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：80V
最大漏极电流（ID）：60A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：6.3mΩ（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V 至 4V
最大功耗（PD）：160W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（表面贴装）
CRSS063N08N 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流条件下能够显著降低功率损耗，从而提高整体系统效率。该器件的额定漏源电压为 80V，最大漏极电流为 60A，使其适用于多种高功率应用场景。采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，不仅提高了器件的导电性能，还增强了其热稳定性和可靠性。
此外，CRSS063N08N 的栅极阈值电压范围为 2.1V 至 4V，适合与标准逻辑电平驱动器配合使用，简化了控制电路的设计。该器件的最大功耗为 160W，能够在较高的工作温度下稳定运行，工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，表现出良好的热稳定性。
封装方面，CRSS063N08N 使用的是 TO-263 封装，这是一种表面贴装封装形式，适合自动化生产流程，并提供良好的热管理能力，适用于高密度 PCB 设计。由于其高电流能力和低导通电阻，该 MOSFET 在电源管理应用中表现出色，特别是在 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路中。其优异的性能和可靠性使其成为工业控制、汽车电子、通信设备等领域的理想选择。
CRSS063N08N 主要用于需要高效率功率转换和大电流开关能力的电子系统中。它常被应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器、电源管理系统以及各种高功率电子设备中。在工业自动化、汽车电子、通信电源和消费类电子产品中，CRSS063N08N 都能发挥出色的性能。例如，在电动汽车或混合动力汽车中，该 MOSFET 可用于电池管理系统或电动机驱动电路；在服务器电源和 UPS（不间断电源）系统中，可用于高效率的功率转换模块。由于其高可靠性和热稳定性，该器件在高温环境下也能稳定运行，适用于恶劣工作条件下的工业控制系统。
SiR110DP-T1-GE3, Nexperia PSMN063-100BSE, Infineon BSC063N08NS5
