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QVS212CG560JDHT 发布时间 时间:2025/7/4 5:59:53 查看 阅读:14

QVS212CG560JDHT 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  该型号属于 QVS 系列,采用 TO-263 封装形式,适合表面贴装工艺,具备出色的热性能和电气稳定性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关频率:500kHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263

特性

QVS212CG560JDHT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流应用中减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频电源转换应用。
  3. 良好的热稳定性和可靠性,适应恶劣的工作环境。
  4. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,提升系统安全性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接在 PCB 上。

应用

该芯片适用于多种场景,例如:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  5. 汽车电子系统的电源管理和电池管理系统 (BMS)。

替代型号

QVS212CG560JDHTR,
  IRFZ44N,
  FDP5500,
  STP55NF06L

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QVS212CG560JDHT参数

  • 现有数量7,880现货
  • 价格1 : ¥6.68000剪切带(CT)4,000 : ¥2.14958卷带(TR)
  • 系列V
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容56 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.95mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-