时间：2025/7/30 17:53:05
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SPD6626TXV是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的双N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和电机控制等需要高效、低导通电阻的场合。该器件采用先进的沟槽栅技术，提供卓越的导通性能和热稳定性，适用于高频率开关应用。SPD6626TXV采用紧凑的PowerFLAT 5x6封装，具有优异的散热性能，使其在高功率密度设计中表现优异。
类型：功率MOSFET
沟道类型：双N沟道
漏源电压（VDS）：60V
连续漏极电流（ID）：10A（单通道）
导通电阻（RDS(on)）：30mΩ（最大值，典型值为25mΩ）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：PowerFLAT 5x6
配置：双通道
功耗（PD）：4.8W
SPD6626TXV具有多项优异的电气和热性能，适用于高效率电源设计。其主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的热管理性能。该MOSFET采用先进的沟槽栅结构，使得其在高频开关应用中具有更低的开关损耗和更稳定的导通性能。此外，SPD6626TXV具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受瞬时过载和高能脉冲，确保系统在极端条件下的稳定性。
该器件的双N沟道结构使其适用于同步整流、负载开关和电机驱动等应用。PowerFLAT 5x6封装提供了良好的散热能力，使MOSFET在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。SPD6626TXV还具有良好的栅极控制特性，能够在宽范围的栅极电压下保持稳定的导通状态，适用于各种PWM控制方案。
此外，SPD6626TXV的封装设计支持表面贴装工艺，简化了PCB布局并提高了装配效率。该器件符合RoHS环保标准，适用于工业自动化、汽车电子、消费类电源和便携式设备等多种应用场合。
SPD6626TXV适用于多种高功率密度和高效能电子系统，如直流-直流转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。它也广泛应用于工业自动化设备、电动工具、便携式电源和汽车电子系统中，提供高效的功率控制解决方案。此外，该MOSFET还可用于UPS（不间断电源）、LED照明驱动器和家用电器中的电源管理模块。
IPD6626TXV, SPD6620, SPD6630, STD6626T, STD6620T
