时间：2025/5/7 17:27:51
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CRSD130N10L2是一款基于碳化硅（SiC）技术的MOSFET功率晶体管。这种晶体管因其高效率、高频开关能力和高温性能而被广泛应用于工业和汽车领域。其设计目标是提供卓越的开关特性，减少能量损耗，并支持紧凑型电源解决方案。
该器件采用TO-247封装形式，具有极低的导通电阻和快速恢复体二极管特性，非常适合于DC-DC转换器、太阳能逆变器、电机驱动器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
最大漏源电压：1000V
连续漏极电流：130A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷（Qg）：95nC
输入电容（Ciss）：3800pF
反向恢复时间（trr）：80ns
工作结温范围：-55℃至175℃
CRSD130N10L2具有出色的电气特性和热管理能力。其主要特点包括：
- 高耐压等级，能够承受高达1000V的工作电压，适用于高压应用环境。
- 极低的导通电阻，显著降低传导损耗，提高整体系统效率。
- 快速开关速度和较低的栅极电荷，确保在高频条件下依然保持高效运行。
- 内置快速恢复体二极管，优化了续流路径并减少了开关损耗。
- 碳化硅材料的使用使其具备更高的温度耐受性，能够在极端环境下可靠工作。
- 兼容标准硅基驱动电路，简化了设计集成过程。
- 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
这款碳化硅MOSFET适合多种高功率和高压应用场景：
- 高效DC-DC转换器，例如电动汽车中的车载充电器和电池管理系统。
- 太阳能光伏逆变器，用于将直流电转化为交流电输出到电网。
- 工业电机驱动器和伺服控制系统，提供精确的速度与位置控制。
- 不间断电源（UPS）设备，确保关键负载的持续供电。
- 高频硬开关或软开关拓扑结构，如PFC（功率因数校正）电路和LLC谐振转换器。
CRSD120N10L2, CRSD150N10L2
