类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双共阴极
　　封装/包装：PMDE (SOD-123F)
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：40V
　　最大直流阻断电压 VR：40V
　　平均整流电流 IF(AV)：600mA
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：8A
　　最大正向电压 VF @ IF=500mA：680mV
　　最大反向电流 IR @ TA=25°C：100μA
　　最大反向电流 IR @ TA=100°C：1000μA
　　最大反向恢复时间 trr：5ns
　　工作结温 TJ：-55°C ~ 150°C
　　热阻 RθJA：250°C/W
　　热阻 RθJL：175°C/W
　　热阻 RθJC：100°C/W

RB068LAM-40TR的核心优势在于其卓越的电学性能与小型化封装的完美结合。首先，其低正向电压降（VF）特性是实现高效能的关键。在典型的工作电流下，例如500mA，其VF最大值仅为680mV，远低于传统的PN结二极管。这种低VF特性直接转化为更低的导通损耗（P_loss = VF × IF），这对于电池供电的移动设备至关重要，因为它能延长电池续航时间，并减少散热需求，允许使用更小的PCB铜箔面积作为散热路径。其次，其肖特基结构赋予了它极快的开关速度。反向恢复时间（trr）典型值仅为5ns，这意味着当二极管从正向导通状态切换到反向截止状态时，几乎没有少数载流子存储电荷需要清除。这个特性消除了传统二极管在关断瞬间产生的反向恢复电流尖峰，从而极大地降低了开关过程中的动态损耗和由di/dt引起的电压尖刺和电磁干扰（EMI）。这使得RB068LAM-40TR在高频开关电源（SMPS）、特别是同步整流拓扑或作为续流二极管的应用中表现优异，有助于实现更高的开关频率，进而减小外围电感和电容的尺寸，最终实现电源模块的小型化。
　　另一个重要特性是其双共阴极的内部配置。这种结构将两个独立的肖特基二极管的阴极连接在一起并引出一个公共引脚，另外两个阳极分别引出。这种设计在电路布局上非常灵活，特别适用于需要两个独立但共享参考点的整流或箝位电路，例如在多相DC-DC转换器中为不同相位提供续流路径，或者在逻辑电平转换、信号隔离等场合。相比于使用两个独立的单二极管，双共阴极配置可以节省宝贵的PCB空间，并简化装配流程，降低生产成本。此外，该器件采用无铅、符合RoHS标准的PMDE封装，不仅满足现代电子产品环保法规的要求，其小型化的外形（典型尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm）也便于实现自动化高速贴片，提高了生产效率。其宽广的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了器件在各种恶劣环境下的可靠运行，无论是寒冷的户外设备还是高温的密闭机箱内都能稳定工作。

RB068LAM-40TR广泛应用于各类需要高效率、小尺寸和快速响应的电子设备中。最常见的应用场景是作为DC-DC转换器中的整流二极管或续流二极管（Freewheeling Diode），尤其是在升压（Boost）、降压（Buck）和反激（Flyback）等拓扑结构中，用于管理电感电流的续流路径，其低VF和快恢复特性直接提升了转换效率。它也常用于电池充电电路，作为防止电池电流倒灌回电源的防反接二极管。在便携式消费电子产品领域，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，它被用于电源管理单元（PMU）和各类电压轨的保护与整流。此外，该器件还适用于LED驱动电路，为LED提供稳定的偏置和保护。在计算机和服务器领域，它可用于主板上的辅助电源、内存和CPU供电模块。其他应用还包括适配器、充电器、USB电源端口的过压/反向保护、以及各类工业控制和通信设备中的信号整流与箝位电路。

RB068LAM-30TR
　　RB068LAM-60TR
　　SS14
　　SBM160