类型：功率MOSFET
　　制造工艺：超结（Super Junction）技术
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.055Ω
　　栅极电荷（Qg）：约90nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

CRG50T60AK3HD的主要特性之一是其超低的导通电阻（RDS(on)），仅为0.055Ω，这大大降低了导通损耗，提高了整体效率。这种特性使得该器件非常适合用于高功率应用，例如服务器电源、工业电源、逆变器和UPS系统等。此外，CRG50T60AK3HD采用了英飞凌的CoolMOS?技术，这种技术通过优化器件的结构设计，显著降低了开关损耗，使得器件在高频操作下依然能够保持较低的温升。
　　该器件还具备良好的热性能，其TO-247封装设计提供了优异的散热能力，能够在高负载条件下保持稳定的工作状态。CRG50T60AK3HD的栅极电荷（Qg）约为90nC，这意味着在开关过程中所需的驱动功率较低，从而进一步提高了系统的能效。此外，该器件的击穿电压高达600V，能够承受较高的电压应力，确保在高压环境下的可靠运行。
　　另一个重要特性是其宽泛的工作温度范围，从-55°C到150°C，使得CRG50T60AK3HD能够在极端温度条件下正常工作，适用于各种严苛的工业环境。同时，该器件具备优异的抗短路能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，从而提高了系统的稳定性和可靠性。

CRG50T60AK3HD广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、服务器和电信设备的电源模块、工业自动化控制系统、电动汽车充电设备以及太阳能逆变器等。在电源管理系统中，CRG50T60AK3HD可以作为主开关器件，用于实现高效的能量转换和管理。在服务器和电信设备中，该器件能够提供稳定的电源供应，确保设备的高效运行。在工业自动化控制系统中，CRG50T60AK3HD可以用于电机驱动和变频器控制，提供快速的响应和精确的控制。此外，该器件还适用于电动汽车的充电系统，能够在高功率需求下提供可靠的电力支持。在太阳能逆变器中，CRG50T60AK3HD可以用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供给家庭或电网使用。

SPW47N60CFD, IPW60R055CFDA-ND