时间：2025/9/1 12:31:03
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H9DA1GG51HAMBR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度非易失性存储器，适用于需要大容量存储和高性能数据处理的应用场景。这款芯片的封装形式为BGA（Ball Grid Array），具有紧凑的尺寸和优良的电气性能，适合在空间受限的设备中使用。H9DA1GG51HAMBR 支持多种操作电压，确保了其在不同环境下的稳定性和可靠性。
容量：1GB
电压：2.7V - 3.6V
接口类型：Parallel NAND
数据总线宽度：8位
擦除时间：典型值为2ms
编程时间：典型值为200μs
工作温度：-40°C至+85°C
封装类型：BGA
引脚数：50
H9DA1GG51HAMBR NAND闪存芯片具有多种显著特性。其高容量1GB存储能力使其适用于需要大量数据存储的设备，如嵌入式系统、便携式电子产品和工业控制系统。该芯片支持8位并行NAND接口，提供了高速数据传输的能力，适用于需要快速读写操作的应用。此外，其宽电压范围（2.7V至3.6V）使其在不同电源条件下都能稳定工作。
该芯片的擦除和编程时间分别为2ms和200μs，确保了快速的数据写入和擦除操作，适用于需要频繁更新数据的应用。H9DA1GG51HAMBR的工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在极端温度环境下可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用。此外，该芯片采用50引脚BGA封装，体积小巧，便于在紧凑空间中集成。
为了提高数据的可靠性和延长使用寿命，H9DA1GG51HAMBR还支持ECC（错误校正码）功能，可以在数据读取过程中自动检测和纠正错误，确保数据完整性。这一特性使其非常适合用于需要高数据可靠性的应用，如固态硬盘（SSD）和数据存储卡。
H9DA1GG51HAMBR广泛应用于多种需要大容量非易失性存储的设备中。常见的应用包括嵌入式系统、工业控制设备、便携式电子产品（如手持终端和PDA）、智能卡读写器以及各种类型的存储扩展模块。其高容量和快速读写能力使其适用于需要频繁数据更新和存储的应用场景。
在汽车电子领域，H9DA1GG51HAMBR可用于车载导航系统、行车记录仪以及汽车信息娱乐系统，满足车辆在复杂环境下对数据存储的需求。此外，在消费类电子产品中，该芯片也可用于数码相机、MP3播放器和便携式游戏机等设备，提供可靠的数据存储解决方案。
由于其宽温度范围和高可靠性，H9DA1GG51HAMBR也适用于医疗设备和测量仪器等对数据存储要求较高的行业应用。它能够确保在长时间运行和频繁读写操作中保持数据的完整性和稳定性。
H9DA1GH51GAMBR, H9DA1GH51HAGCPR, H9DA1GH51HAMDAR
