CPH6415-TL-E 时间：2025/12/28 10:14:12 阅读：6

CPH6415-TL-E是一款由Central Semiconductor Corp生产的双N沟道MOSFET阵列，专为高效率、低电压开关应用设计。该器件采用先进的沟道栅极技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于便携式电子产品和高密度电源管理电路。CPH6415-TL-E封装在小型SOT-23（SOT-23-6）封装中，节省PCB空间，适合对尺寸敏感的应用场景。该器件符合RoHS环保标准，无铅且符合绿色电子元器件要求。其结构包含两个独立的N沟道MOSFET，可配置为同步整流、负载开关、电平转换或桥式驱动等拓扑结构。由于其优异的热稳定性和可靠的电气性能，CPH6415-TL-E广泛用于电池供电设备、智能手机、平板电脑以及各类消费类电子产品的电源管理系统中。此外，该器件在制造过程中经过严格测试，确保批次一致性与长期可靠性，能够在工业温度范围内稳定工作，是中小功率开关应用的理想选择之一。

参数

型号：CPH6415-TL-E
　　通道类型：双N沟道
　　漏源电压(VDSS)：20V
　　栅源电压(VGSS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：1.9A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：4.2A
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS=4.5V, 1.9A
　　导通电阻(RDS(on))：33mΩ @ VGS=2.5V, 1.9A
　　阈值电压(VGS(th))：0.65V ~ 1.2V
　　输入电容(Ciss)：270pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间(trr)：未集成体二极管快速恢复特性
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23-6
　　极性：N-Channel
　　功耗(PD)：500mW

特性

CPH6415-TL-E的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），在VGS=4.5V条件下仅为28mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。这一特性尤其适用于电池供电系统，如移动设备中的电源路径管理或负载开关控制，能够有效减少发热并延长续航时间。此外，其在较低栅极电压（如2.5V）下仍能保持较低的RDS(on)（33mΩ），说明该器件具备良好的低压驱动能力，兼容3.3V或更低逻辑电平的微控制器直接驱动，无需额外电平转换电路。
　　另一个关键特性是其双MOSFET集成结构，允许灵活配置为高边/低边开关、H桥驱动或同步整流器。这种集成方式不仅减少了外部元件数量，还提升了系统的可靠性和紧凑性。每个MOSFET都具有独立的引脚连接，便于布线和控制。同时，器件的输入电容较低（Ciss=270pF），有助于加快开关速度，降低开关损耗，适用于高频PWM调光或DC-DC转换器中的快速切换应用。
　　CPH6415-TL-E具备优良的热性能和宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），可在严苛环境条件下稳定运行。其采用SOT-23-6封装，体积小巧，适合高密度贴装工艺，并支持回流焊等自动化生产流程。此外，该器件具有较高的栅源电压耐受能力（±8V），增强了抗干扰能力和使用安全性。内置的体二极管虽未特别优化反向恢复时间，但在一般开关应用中仍能满足大多数需求。总体而言，该器件在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，适用于现代小型化、高效能电子系统的设计需求。

应用

CPH6415-TL-E广泛应用于需要小型化和高效开关功能的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源路径控制。其低导通电阻和小封装使其成为电池供电系统中理想的开关元件，可用于控制不同电源域的开启与关闭，从而实现节能待机或动态电源管理。
　　在DC-DC转换器电路中，CPH6415-TL-E可用于同步整流拓扑，替代传统的肖特基二极管以提高转换效率，尤其是在低输出电压（如1.8V或3.3V）的降压变换器中表现优异。此外，它也可用于LED背光驱动电路中的PWM调光开关，利用其快速响应能力精确控制亮度。
　　该器件还可用于信号切换和电平转换应用，例如在I2C总线或多路复用通信接口中作为双向电平移位器，支持不同电压域之间的安全通信。在电机控制领域，虽然其电流能力有限，但可用于微型直流电机或步进电机的简单驱动电路，特别是在玩具、微型风扇或摄像头对焦机构中。
　　其他应用场景还包括热插拔保护电路、USB端口电源控制、传感器使能开关以及任何需要小型、低成本、高性能双MOSFET解决方案的场合。由于其符合RoHS标准且无卤素，也适用于对环保要求较高的工业和医疗设备设计。