CPH6311 时间：2025/12/28 10:15:25 阅读：11

CPH6311是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等电子系统中。该器件采用先进的沟槽栅极技术和场截止工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于高效率、紧凑型电源设计。CPH6311封装在DFN2020-6L的小型化封装中，尺寸紧凑，适合对空间要求严格的便携式设备和高密度PCB布局。其额定电压为30V，最大持续漏极电流可达8.5A，能够满足大多数中低功率应用的需求。此外，该MOSFET具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了系统在瞬态过压情况下的可靠性。CPH6311符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，因此不仅适用于工业与消费类电子产品，也可用于汽车电子系统中的负载开关或LED驱动等场景。

参数

类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：8.5A
　　脉冲漏极电流（IDM）：34A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)@4.5V VGS：9.5mΩ
　　导通电阻RDS(on)@2.5V VGS：13mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 1.8V
　　输入电容（Ciss）：570pF @ 15V VDS
　　输出电容（Coss）：145pF @ 15V VDS
　　反向传输电容（Crss）：40pF @ 15V VDS
　　栅极电荷（Qg）@4.5V VGS：8.5nC
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：16ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN2020-6L

特性

CPH6311具备优异的导通性能和开关特性，其核心优势在于采用了意法半导体成熟的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与良好的热稳定性。在4.5V栅极驱动条件下，RDS(on)典型值仅为9.5mΩ，这显著降低了导通损耗，提升了电源系统的整体能效。即使在较低的2.5V栅极电压下，其导通电阻仍可控制在13mΩ以内，使其兼容现代低电压逻辑控制信号，如来自微控制器或电源管理IC的直接驱动。
　　该器件具有快速的开关响应能力，总栅极电荷Qg仅为8.5nC，在高频开关应用中可有效减少驱动损耗，提升系统开关频率上限。同时，其输入电容Ciss为570pF，输出电容Coss为145pF，有助于简化栅极驱动电路设计并降低EMI干扰。得益于较小的封装尺寸（DFN2020-6L），CPH6311拥有出色的散热性能和功率密度，适用于空间受限的应用场景，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式电源模块。
　　CPH6311还集成了良好的安全工作区（SOA）表现和较强的雪崩耐量，能够在突发短路或感性负载切断时承受一定的能量冲击，提高了系统的鲁棒性。其符合AEC-Q101车规标准，意味着该器件经过严格的温度循环、高温反偏、机械冲击等测试，确保在严苛环境下长期可靠运行。此外，产品无卤素且符合RoHS指令，支持绿色环保制造流程。这些综合特性使得CPH6311成为中小功率开关电源、同步整流、电池管理系统、LED照明驱动及电机控制等领域中的优选器件。

应用

CPH6311适用于多种中低功率电源转换与控制场合。常见应用包括便携式电子设备中的DC-DC降压或升压转换器，作为高边或低边开关使用；在同步整流拓扑中替代肖特基二极管以提高转换效率；在电池供电系统中作为负载开关或电源路径管理元件，实现快速启停和低静态功耗控制；还可用于电机驱动电路中的H桥结构，驱动小型直流电机或步进电机。由于其通过AEC-Q101认证，也广泛应用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统的电源管理、LED车灯驱动、电动门窗控制模块等。此外，该器件可用于工业自动化设备中的传感器供电模块、PLC数字输出通道以及智能电表的电源单元。其小型化封装特别适合高密度贴装需求，如TWS耳机充电仓、移动电源、IoT终端设备等对体积敏感的产品。