时间：2025/12/23 11:48:01
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DMN6040SSD-13是一款来自Diodes Incorporated的N沟道逻辑电平MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了SOA优化技术，旨在提高脉冲负载能力和系统可靠性。它适用于各种开关和功率管理应用，具有低导通电阻和高电流处理能力。
这款MOSFET特别适合用于消费电子、通信设备以及工业控制领域中的电源开关、负载开关和同步整流电路。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：39nC
总电容：2870pF
工作结温范围：-55℃至175℃
DMN6040SSD-13具有超低的导通电阻，这使其能够显著减少传导损耗并提升效率。同时，其栅极阈值电压较低，非常适合逻辑电平驱动的应用场景。
此外，该器件的高雪崩击穿能量和增强的热稳定性，确保了在严苛环境下的可靠运行。封装形式为TO-252 (DPAK)，有助于简化PCB布局并提供良好的散热性能。
其快速开关特性和低反向恢复电荷使得DMN6040SSD-13成为高频应用的理想选择。整体上，此MOSFET结合了高性能与坚固的设计，以满足现代电子系统的严格要求。
DMN6040SSD-13广泛应用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、LED照明以及各种适配器和充电器中。
在汽车电子领域，它可以作为负载开关或保护开关使用；在消费类电子产品中，例如笔记本电脑、平板电脑及智能手机的电源部分，此MOSFET也发挥着重要作用。
此外，由于其出色的电气性能，DMN6040SSD-13还适用于电信基站、服务器电源等对效率和可靠性要求较高的场合。
DMN6040LSS-13
DMN6040USM-13
IRLB8748PBF
